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喜报!走中国特色产业道路,镓仁建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线,向头部芯片客户批量供货

更新时间:2026-06-24 10:45:27

    近日,杭州镓仁半导体有限公司(下称“镓仁半导体”)走中国特色道路,基于自研铸造法单晶生长与MOCVD外延工艺,已向头部客户交付全球第一片6英寸(100)面氧化镓同质外延片,并实现批量稳定供货

技术实力领跑
    在长晶环节,镓仁半导体依靠全球独创的铸造法长晶技术,稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合公司超薄衬底加工技术,将衬底出片量提升至原有3至4倍。此外,铸造法也进一步降低了贵金属铱的用量,使衬底单片成本较原来降低80%以上,显著降低下游器件厂商的材料成本。

    在外延环节,镓仁半导体技术团队针对(100)面特点优化关键工艺参数,设计特色MOCVD外延工艺,成为全球首家且唯一一家商用6英寸氧化镓同质外延的供货厂商。公司出品的6英寸氧化镓同质外延片外延层厚度大于10 μm,膜厚方差小于1%,均匀性优异,极适合高性能器件的制备,使得器件厂商良率更有保障。

图1 6英寸氧化镓同质外延片

傅立叶红外反射图谱

图2 6英寸氧化镓同质外延片

膜厚测试点位分布及对应结果

图3 6英寸氧化镓同质外延片

高分辨XRD摇摆曲线及对应点位测试结果

图4 6英寸氧化镓同质外延片

载流子浓度分布云图

图5 6英寸氧化镓同质外延片

C-V测试点位分布及对应结果


 


产能稳定供应
    此前,氧化镓同质外延片在全球范围内存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点,很难满足产业化需求。镓仁半导体此次不仅实现了6英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付,更是打通“单晶-衬底-外延”的全流程稳定量产能力,建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线,批次间品质稳定可控。目前海外多家企业和科研机构已陆续下单,多家合作客户已进行了长期稳定采购。

    从装备设计、晶体生长到外延工艺,镓仁半导体始终坚持全链条自主可控,以自主创新的特色发展道路持续凸显氧化镓产业发展的中国“镓”速度,为构建国内氧化镓全产业链提供了源源不断的增长动能。

图6 6英寸氧化镓同质外延片已实现批量供货

(右下角为镓仁2英寸外延片对比样)

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