浙江省半导体行业协会

    2026年3月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）的8英寸氧化镓同质外延片已通过深圳平湖实验室权威认证。

    检测结果表明，镓仁半导体生产的8英寸氧化镓同质外延片核心性能指标表现优异，部分参数达国际领先水平， 为氧化镓器件产业化奠定坚实基础。

Part.1 权威检测：核心指标表现优异

    本次检测中，平湖实验室对镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片选取五个关键点位进行AFM（原子力显微镜）与XRD（X射线衍射）联合测试。

    XRD摇摆曲线半高宽（FWHM）测试中，中心及上下点位的半高宽在30-46arcsec之间，属优秀水平，左侧点位仅21.18 arcsec、右侧点位仅22.18arcsec，左右两处指标均处于全球领先水平。外延片整体晶格排列规整、缺陷密度极低，可充分满足超高压、高功率器件的应用需求。

图1 镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片XRD检测结果

    在AFM表面粗糙度测试中，外延片左侧点位Rq低至0.144nm、Ra仅0.115nm，上方点位Rq为0.168nm、Ra为0.134nm，两大核心区域表面平整度极佳，达到高端氧化镓外延片标准，为后续器件制备提供了优质表面基础。

图1 镓仁半导体8英寸氧化镓同质外延片XRD检测结果

Part.2 关键解读：同质外延路径最优

    氧化镓是第四代超宽禁带半导体核心材料，在高端功率器件领域优势显著，大尺寸外延片是其产业化关键。异质外延生长方法因衬底与外延层材料不同，存在晶格失配、界面缺陷等先天问题，无法发挥氧化镓本征优势。

    同质外延作为氧化镓外延的最优路径，核心意义体现在三点：

    1 晶格完美匹配，释放材料本征优势：同质外延可彻底消除异质外延的晶格失配、应力集中问题，大幅降低缺陷密度，充分发挥氧化镓超高压、低损耗的核心优势。

    2 保障器件高性能，突破产业化瓶颈：同质外延层平整度、结晶质量更易控制，解决异质外延器件耐压不足、可靠性差的痛点，为规模化量产提供支撑。

    3 简化工艺降成本，提升产业竞争力：同质外延生长无需额外制备缓冲层，简化工艺、减少缺陷修复成本，相较于异质外延更具产业化可行性。

Part.3 突破意义与未来展望

    此次权威认证充分彰显了镓仁半导体在大尺寸同质外延工艺上的精准控制能力，打破了尺寸与品质无法兼顾的行业痛点，再次印证同质外延是目前氧化镓产业化的唯一可行路径。

    镓仁半导体在氧化镓同质外延生长技术方面的突破有效填补了宽禁带半导体领域的空白，提升了公司在第四代半导体领域的全球竞争力。未来镓仁半导体研发团队将持续优化工艺、提升片内均匀性，推动氧化镓技术升级，充分响应国家在“十五五”规划中有关氧化镓产业发展的重要指示，为我国半导体产业持续发展、科技自立自强贡献力量！

关于镓仁

    杭州镓仁半导体有限公司是全球领先的氧化镓材料与设备解决方案提供商，专注于超宽禁带半导体领域的技术研发与产业化落地。公司核心产品包括：2-8英寸氧化镓单晶与衬底（其中8英寸为国际首发）、氧化镓垂直布里奇曼法（VB法）长晶设备、氧化镓外延片等，致力于构建 “设备-晶体-衬底-外延” 全链条产品体系，为全球客户提供系统性解决方案。公司在氧化镓领域的相关成果获得人民日报、新华社、科技日报、新浪财经、中国蓝新闻、澎湃新闻等知名媒体专题报道。

    企业荣誉汇总：2023年获评国家级科技型中小企业、浙江省创新型中小企业；2024年获评浙江省专精特新中小企业；2025年获批高新技术企业；2025年获SEMICON CHINA “SEMI可持续发展杰出贡献奖”、九峰山论坛（JFSC）暨化合物半导体产业博览会“聚力同行奖”、浙江省半导体行业“创新活力奖”、第十届“创客中国”浙江省总决赛企业组二等奖、第十届“创客中国”中小企业创新创业大赛全国企业组 500 强、“2024-2025年度半导体材料行业贡献奖”；“8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破”成果入选“2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”及浙江省科技厅“2025年度重大科技成果”；在氧化镓领域牵头了2项团体标准草案的制定、参与起草了1项国家标准制定、参与推动了1项团体标准草案的制定；获得浙江省杭州市萧山区“5213”卓越类计划支持，获批建立浙江省企业研究院；取得了质量管理体系认证证书；获得国际国内发明专利授权14项（含美、日等多国专利），申请中专利50余项。